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一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长...

类别 : 发明专利        专利号 : CN201310193554.3

所属区域:中国内地

出售价格: 22000.00

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周志坚

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商品信息

专利名称:一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法 专利号:CN201310193554.3 去官网验证 所属区域:中国内地 专利状态:已下证书
所属行业:化学;冶金-晶体生长

商品展示

本发明提出了一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法。该生长设备设置温度控制系统和后加热系统;温度控制系统通过加热功率实现对加热系统的稳定控制;后加热系统为在熔融坩埚上端设置后加热金属片;保温系统为在熔融坩埚上端设置多重刚玉保温罩,籽晶提拉夹杆贯穿于后加热金属片与多重保温罩;就生长方法而言,升温过程中,在较低的温度下,加热功率维持较长的时间;结合籽晶夹杆的提拉速度、温度场的设计以及生长过程中不同状态下对降温速率进行调整;后期确定了最佳的热处理温度的升温、恒温和降温的方法。本发明涉及的生长设备以及其生长方法能够提供一种高质量、大尺寸的YVO4晶体。

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